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: 半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備之探針測(cè)試主要趨勢(shì)

探針測(cè)試行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)（1）設(shè)備將向高精度化方向發(fā)展現(xiàn)階段半導(dǎo)體器件主要通過(guò)提高集成度的方式實(shí)現(xiàn)更多功能或更快響應(yīng)。為此，半導(dǎo)體制造過(guò)程一般會(huì)縮小器件特征尺寸，如高端邏輯芯片的電路制程線(xiàn)寬已由微米級(jí)別縮小至納米級(jí)別，最小已達(dá)3納米；在光電芯片中，最小的Micro LED尺寸也已經(jīng)縮小至50μm以下。此外，為避免器件集成度提高后單位制造成本過(guò)度上漲，業(yè)界一般使用更大尺寸的晶圓，通過(guò)在單片晶圓片上制造更多的芯片并提高邊緣區(qū)域使用率的方法降低單位制造成本，目前主流晶圓尺寸已從4英寸、6英寸，逐步發(fā)展到8英寸和12英寸。
2022-05-30

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